原装长期现货 STP80NF70 (代替STP75NF75)

品牌/商标	ST意法半导体	型号/规格	STP80NF70
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	N沟道
导电方式	增强型	用途	S/开关
封装外形	CER-DIP/陶瓷直插	材料	GE-N-FET锗N沟道
开启电压	68（V）	夹断电压	10（V）
*间电容	2550（pF）	大漏电流	98（mA）
*大耗散功率	190（mW）

数据列表产品相片标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装供应商设备封装其它名称

STP80NF70

t820t-6i

50

分离式半导体产品

FET - 单路

STripFET™

MOSFET N 通道，金属氧化物

标准型

9.8 毫欧 @ 40A, 10V

68V

98A

4V @ 250µA

75nC @ 10V

2550pF @ 25V

190W

通孔

TO-220-3

管件

TO-220AB

497-10964-5

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装供应商设备封装产品目录页面其它名称

ST(B,P)75NF75(FP)

TO-220 Pkg

ST Series TO-220

50

分离式半导体产品

FET - 单路

STripFET™

MOSFET N 通道，金属氧化物

标准型

11 毫欧 @ 40A, 10V

75V

80A