INTERNATIONAL RE*IFIER - IRF1407PBF - 场效应管 MOSFET N TO-220 75V 130A

 

 

 

 

标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳供应商设备封装包装其它名称

50

分离式半导体产品

FET - 单

HEXFET®

MOSFET N 通道，金属氧化物

标准型

75V

130A

7.8 毫欧 @ 78A, 10V

4V @ 250µA

250nC @ 10V

5600pF @ 25V

330W

通孔

TO-220-3

TO-220AB

管件

深圳科顺龙电子

*IRF1407PBF

晶体管*性:ñ频道

• 电流, Id 连续:130A
• 电压, Vds *大:75V
• 在电阻RDS（上）:7.8mohm
• 电压 @ Rds测量:10V
• 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
• 功耗, Pd:330W
• 封装类型:TO-220AB
• 针脚数:3
• SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)
• 功率, Pd:330W
• 功耗:330W
• 封装类型:TO-220AB
• 漏*电流, Id *大值:130A
• 热阻, 结至外壳 A:0.45°C/W
• 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
• 电压, Vds 典型值:75V
• 电压, Vgs *高:4V
• 电流, Idm 脉冲:520A
• 表面安装器件:通孔安装
• 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:7.8ohm