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IRFB4710PBF IRFB4710 IR场效应管 原装现货供应

地区：广东 深圳
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 数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装供应商设备封装产品目录页面其它名称
IRFB4710PbF, IRFS(L)4710PbF
TO-220AB PKG
IR Hexfet TO-220AB
50
分离式半导体产品
FET - 单路
HEXFET®
MOSFET N 通道，金属氧化物
标准型
14 毫欧 @ 45A, 10V
100V
75A
5.5V @ 250µA
170nC @ 10V
6160pF @ 25V
3.8W
通孔
TO-220-3
管件
TO-220AB
深圳科顺龙电子
*IRFB4710PBF
标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳供应商设备封装包装其它名称
50
分离式半导体产品
FET - 单
HEXFET®
MOSFET N 通道，金属氧化物
标准型
100V
75A
14 毫欧 @ 45A, 10V
5.5V @ 250µA
170nC @ 10V
6160pF @ 25V
3.8W
通孔
TO-220-3
TO-220AB
管件
深圳科顺龙电子
*IRFB4710PBF
品牌

IR/国际整流器

型号

IRFB4710PBF IRFB4710

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

DC/直流

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

GE-N-FET锗N沟道

开启电压

45（V）

夹断电压

10（V）

跨导

10（μS）

*间电容

6160（pF）

低频噪声系数

10（dB）

漏*电流

75（mA）

耗散功率

3.8（mW）