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场效应管IRF820

地区：广东 汕头
认证： 无

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品牌/商标 IR *童 三星 型号/规格 IRF820
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源
封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道
开启电压 20（V） 夹断电压 500（V）
低频跨导 22（μS） *间电容 2222（pF）
低频噪声系数 222（dB） *大漏*电流 3A（mA）
*大耗散功率 50W（mW）

IRF820  2.5A 500V  3Ω 50W





品牌

IR *童 三星

型号

IRF820