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场效应管2SK2666 K2666

地区：广东 汕头
认证： 无

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2SK2666 3A 900V <4.7Ω 30W





品牌

TOSHIBA/东芝

型号

K2666

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

SW-REG/开关电源

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

3（V）

夹断电压

900（V）

低频跨导

222（μS）

*间电容

2222（pF）

低频噪声系数

2222（dB）

漏*电流

3A（mA）

耗散功率

30W（mW）