场效应IXFH75N10
地区：广东 汕头
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产品属性
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| 品牌/商标 | IXY美国电报半导体 | 型号/规格 | IXFH75N10 |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | A/宽频带放大 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 0（V） | 夹断电压 | 0（V） |
| 低频跨导 | 0（μS） | *间电容 | 0（pF） |
| 低频噪声系数 | 0（dB） | *大漏*电流 | 0（mA） |
| *大耗散功率 | 0（mW） |
场效应IXFH75N10
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IXY美国电报半导体
IXFH75N10
