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场效应FGL40N150D G40N150D

地区：广东 汕头
认证： 无

陈柳洲

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品牌/商标 FAI 型号/规格 FGL40N150D G40N150D
种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 耗尽型 用途 UHF/*频
封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道
开启电压 0（V） 夹断电压 0（V）
低频跨导 0（μS） *间电容 0（pF）
低频噪声系数 0（dB） *大漏*电流 0（mA）
*大耗散功率 0（mW）