MOS管 三*管 场效应 BD242B
地区:广东 深圳
认证:
无
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产品属性
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数据列表 BD242/A/B/C
产品相片 TO-220-3 Pkg
产品变化通告 Lead Frame Dimensions Change 29/Nov/2007
标准包装 200
类别 分离式半导体产品
家庭 晶体管(BJT) - 单路
系列 -
晶体管类型 PNP
电流 - 集电* (Ic)(*大) 3A
电压 - 集电*发射*击穿(*大) 80V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(*大) 1.2V @ 600mA, 3A
电流 - 集电*截止(*大) 300µA
在某 Ic、Vce 时的*小直流电流增益 (hFE) 25 @ 1A, 4V
功率 - *大 40W
频率 - 转换 -
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220
包装 散装
ST/意法
BD242B
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
P-DIT/塑料双列直插
*(V)
*(V)
*(μS)
*(pF)
*(dB)
*(mA)
*(mW)
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