场效应管IPD082N10N3G
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INFINEON/英飞凌/IPD082N10N3G
*缘栅MOSFET
MOS-FBM/全桥组件
SMDSO/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
30（V）
30（V）
24（μS）
500（pF）
24（dB）
24（mA）
24（mW）
N沟道
耗尽型
