场效应管2SK3612-01S
地区：广东 广州
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无
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FUI日本富士通/2SK3612-01S
*缘栅MOSFET
MOS-FBM/全桥组件
SMDSO/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
250（V）
250（V）
24（μS）
1180（pF）
24（dB）
500（mA）
600（mW）
N沟道
耗尽型
