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高压场效应管STB21NM60ND(图)

地区：广东 广州
认证： 无

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品牌/型号

ST意法半导体/STB21NM60ND

材料

GE-N-FET锗N沟道

低频噪声系数

24（dB）

封装外形

SMDSO/表面封装

*间电容

560（pF）

夹断电压

500（V）

开启电压

500（V）

跨导

24（μS）

用途

MOS-FBM/全桥组件

种类

结型JFET

耗散功率

600（mW）

漏*电流

500（mA）

导电方式

增强型

沟道类型

N沟道