MOS 管 2SJ484WYTR印记

品牌/商标	HIT日本日立	型号/规格	2SJ484WYTR
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	P沟道
导电方式	耗尽型	用途	S/开关
封装外形	SMD(SO)/表面封装	材料	P-FET硅P沟道
开启电压	*（V）	夹断电压	*（V）
跨导	*（μS）	*间电容	50（pF）
低频噪声系数	100（dB）	大漏电流	-10（mA）
*大耗散功率	*（mW）

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2SJ484WYTR具有低导通电阻，低驱动电流，高度*开关，4V的门驱动装置等较为突出。

特点：

低电阻

RDS(ON)=0.18Ω（典型值）。(在VGS =10 V,ID= -1)

低驱动电流

高开关速度

410V栅*驱动装置

品牌

HIT日本日立

型号

2SJ484WYTR