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产品属性
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品牌/商标 | VISHAY | 型号/规格 | SI1865DL-T1 |
种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | S/开关 |
封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
开启电压 | 1.2(V) | 夹断电压 | 8(V) |
跨导 | *(μS) | *间电容 | *(pF) |
低频噪声系数 | *(dB) | *大漏*电流 | *(mA) |
*大耗散功率 | 215(mW) |
SI1865DL-T1原装房间现货
特点;
215MW低
1.8至8V输入
1.5至8- V的逻辑电平控制
低调,占地面积小,采用SC70 -6封装
200- V的输入开关上的*E保护冯关闭
可调摆率
是理想的sil865dl高苏德负荷开关适合于便携式应用,集成N通道电平转换器件,从而节省了外部元件减少空间,摆率上升,使外部设定次可以根据不同的负载类型
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VISHAY
SI1865DL-T1