SI4431DY(P沟道MOSFET的逻辑电平的PowerTrench

地区:广东 深圳
认证:

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品牌/商标 VISHAY 型号/规格 SI4431DY
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道
导电方式 增强型 用途 S/开关
封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 GE-P-FET锗P沟道
开启电压 *(V) 夹断电压 *(V)
跨导 *(μS) *间电容 114(pF)
低频噪声系数 *(dB) *大漏*电流 -63m(mA)
*大耗散功率 250(mW)

品牌

VISHAY

型号

SI4431DY