品牌:IR美国国际整流器公司 型号:IRLMS1902TRPBF 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:L/功率放大 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:HEMT高电子迁移率 开启电压:20（V） 夹断电压:12（V） 跨导:*（μS） *间电容:120（pF） 低频噪声系数:*（dB） *大漏*电流:3200（mA） *大耗散功率:13（mW）
IRLMS1902 - HEXFET功率MOSFET -国际整流器
第五代的HEXFET®功率MOSFET从国际整流器公司利用*的加工技术，以实现*低的导通电阻每芯片面积。这样做的好处，结合快速结合开关速度和坚固耐用的设备设计的HEXFET®功率MOSFET是众所周知的，设计师提供了一个**和具有
*的装置在使用各种应用。该Micro6?封装，引线框架的定制产生的HEXFET®功率MOSFET的RDS（on）60％小于类似规模的SOT -23。这个软件包理想的印刷电路板空间的应用是溢价。它*的散热设计和RDS（上）可减少对目前处理增加近
300％相比，采用SOT- 23。
