供应S9018，NPN高频小功率硅管

　　类别：NPN-硅通用高频低噪声宽带NPN晶体管

　　集电极-发射极电压VCEO：18V ；

　　集电极-基极电压VCBO:25V ；

　　发射极-基极电压VEBO:4V ；

　　集电极直流电流IC:60mA；

　　总耗散功率(TA=25℃)Ptot:200mW ；

　　工作结温Tj:150℃ ；

　　贮存温度Tstg:-65~150℃；

　　功率特性：小功率；

　　极性：NPN型 ；

　　结构：扩散型 ；

　　材料：硅(Si) ；

　　封装形式：表面贴封装：SOT-23；

　　封装材料：塑料封装；

　　包装：盘带包装，3000pcs/盘；

　　击穿电压:V(BR)CEO=18V,V(BR)CBO=25V,V(BR)EBO=4V

　　直流放大系数hFE: 70～190@VCE=5V,IC=1mA;

　　集电极发射极饱和压降VCE(sat): 0.5v@IB=1mA;,IC=10mA;

　　基极发射极饱和压降VBE(sat): 1.4v@IB=1mA;,IC=10mA;

　　集电极-基极截止电流ICBO:100nA(最大值)

　　发射极-基极截止电流IEBO:100nA(最大值)

　　集电极允许电流IC：0.05（A）

　　集电极最大允许耗散功率PT：0.2（W）；

　　特征频率fT：2000MHz@IC=5mA,VCE=5V,f=400MHz;

　　噪声系数NF：0.5dB@IC=5mA,VCE=5V,f=400MHz;

　　功率增益GUM：14dB@IC=5mA,VCE=5V,f=400MHz;

　　反馈电容Cre：0.65 pF @ IC=ic=0,VCB=5V,f=1MHz;

　　插入功率增益11dB@IC=5mA,VCE=5V,f=400MHz。