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制造商: Diodes Incorporated DMTH48M3SFVWQ-7
产品种类: MOSFET
技术: Si DMTH48M3SFVWQ-7
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerDI3333-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 52.4 A
Rds On-漏源导通电阻: 8.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 12.1 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 175 C
Pd-功率耗散: 2.82 W
通道模式: Enhancement
商标: Diodes Incorporated
下降时间: 5.59 ns
产品类型: MOSFET DMTH48M3SFVWQ-7
上升时间: 4.54 ns
工厂包装数量: 2000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 12.1 ns
典型接通延迟时间: 5.36 ns
单位重量: 30 mg
DMTH48M3SFVWQ-7
DMTH48M3SFVWQ-7
DIODES
SWP-PD3333-8L
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装