DMTH10H017LPDQ-13 DIODES 优势热卖

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制造商:   Diodes Incorporated     DMTH10H017LPDQ-13
产品种类:   MOSFET     
技术:   Si     DMTH10H017LPDQ-13
安装风格:   SMD/SMT    
封装 / 箱体:   PowerDI5060-8    
晶体管极性:   N-Channel    
通道数量:   2 Channel    
Vds-漏源极击穿电压:   100 V    
Id-连续漏极电流:   59 A    
Rds On-漏源导通电阻:   17.4 mOhms    
Vgs - 栅极-源极电压:   - 20 V, %2B 20 V    
Vgs th-栅源极阈值电压:   3 V    
Qg-栅极电荷:   28.6 nC    
zui小工作温度:   - 55 C    
zui大工作温度:   %2B 175 C    
Pd-功率耗散:   1.5 W    
通道模式:   Enhancement    
封装:   Reel    DMTH10H017LPDQ-13
封装:   Cut Tape 
商标:  Diodes Incorporated   
配置:  Dual   
下降时间:  21.6 ns   
产品类型:  MOSFET   
上升时间:  16.3 ns   
工厂包装数量:   2500   
子类别:  MOSFETs   
晶体管类型:  1 N-Channel   
典型关闭延迟时间:  32.6 ns   
典型接通延迟时间:  9.8 ns   
单位重量:  97 mg 
DMTH10H017LPDQ-13