*童、FQAF16N50、16N50、MOS、场效应管
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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11.3A, 500V,RDS=0.32@VGS=10V, Low gate charge (t*ical 60nC)
Low Crss (t*ical 35pF)
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
FAIRCHILD/*童
FQAF16N50
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
N-FET硅N沟道
10（V）
500（V）
100（μS）
35（pF）
2（dB）
160000（mA）
110000（mW）
