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DCB是指铜箔在高温下直接键合到氧化铝(AL2Q3)或氮化铝(ALN)陶瓷基片表面(单面或双面)上的*工艺方法。所制成的*复合基板具有优良电*缘性能,高导热特性,优异的软钎焊性和高的附着强度,并可像PCB板一样能刻蚀出各种图形,具有很大的载流能力。因此,DCB基板已成为大功率电力电子电路结构技术和互连技术的基础材料,也是本世纪封装技术发展方向“chip-on-board”技术的基础。
DCB技术的*性:实现金属和陶瓷键合的方法有多种,在工业上广泛应用的*合金化方法是厚膜法及钼锰法。厚膜法是将贵*属的细粒通过压接在一起而组成,再由熔融的玻璃粘附到陶瓷上,因此厚膜的导电性能比金属铜差。钼锰法虽使金属层具有相对高的电导,但金属层的厚度往往很薄,小于25μm,这就限制了大功率模块组件的耐浪涌能力。因此*须有一种金属陶瓷键合的新方法来*金属层的导电性能和承受大电流的能力,减小金属层与陶瓷间的接触热阻,且工艺不复杂。铜与陶瓷直接键合技术解决了以上问题,并为电力电子器件的发展开创了新趋势。
铜厚:0.1mm、0.3mm
瓷片厚度:0.38mm0.635mm、1.0mm、2.0mm
"是
锦懋
DCB
刚性
双面
铜
陶瓷基
薄型板
HB板
电解箔
复合基
环氧树脂(EP)
新品
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