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**8ETH06PBF MOS 场效应管c

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市飞捷士科技有限公司

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品牌/商标 IR 国际整流半导体 型号/规格 8ETH06PBF
种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 NF/音频(低频)
封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 ALGaAS铝镓砷
开启电压 1（V） 夹断电压 1（V）
低频跨导 1（μS） *间电容 1（pF）
低频噪声系数 1（dB） *大漏*电流 1（mA）
*大耗散功率 1（mW）

品牌

IR 国际整流半导体

型号

8ETH06PBF