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1产品概述:硅N沟道增强VDMOSFETs,CS1N60A1H,获得通过自对准平面技术,减少传导损耗,提高开关性能和增强雪崩能量。可用于各种电源的晶体管系统的小型化和高效率的开关电路。产品封装形式:TO-92,符合符合RoHS指令要求。 2产品特点:●快速开关●低电阻(导通电阻≤15Ω)●低栅极电荷(典型数据:5.0nC)●低反向传输电容(典型:2.7pF)●100%的单脉冲雪崩能量测试
CS1N60A1H
华晶
TO-92
无铅环保型
直插式
散装
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