现货**童F*S10CH60

地区:广东 深圳
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品牌/商标 FAIRCHILD/*童 型号/规格 F*S10CH60
种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 MOS-TPBM/三相桥
封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 ALGaAS铝镓砷
开启电压 1(V) 夹断电压 1(V)
跨导 1(μS) *间电容 1(pF)
低频噪声系数 1(dB) *大漏*电流 1(mA)
*大耗散功率 1(mW)

*童 MOS IGBT 场效应管

Manufacturer:Fairchild Semiconductor 
Product Category:IGBT Transistors 
RoHS:RoHS Compliant by Exemption Details 
Package / Case:SPM27-BA 
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:600 V 
Collector-Emitter Breakdown Voltage:600 V 
Collector-Emitter Saturation Voltage:2.3 V 
Continuous Collector Current Ic Max:10 A 
Gate-Emitter Leakage Current:+/- 250 nA 
Power Dissipation:27 W 
Packaging:Tube
品牌

FAIRCHILD/*童

型号

F*S10CH60