*童场效应管FQPF13N50

地区:广东 深圳
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Manufacturer:Fairchild Semiconductor 
Product Category:MOSFETs 
RoHS:RoHS Compliant by Exemption Details 
Product:General Purpose MOSFETs 
Configuration:Single 
Package / Case:TO-220F 
Transistor Polarity:N-Channel 
Drain-Source Breakdown Voltage:500 V 
Continuous Drain Current:13 A 
Power Dissipation:48000 mW 
Forward Transconductance gFS (Max / Min):15 S 
Resistance Drain-Source RDS (on):0.48 Ohm @ 10 V 
T*ical Fall Time:100 ns 
T*ical Rise Time:100 ns 
T*ical Turn-Off Delay Time:130 ns 
Packaging:Tube 
Gate-Source Breakdown Voltage: /- 30 V 
Maximum Operating Temperature:150 C 
Minimum Operating Temperature:- 55 C 
T*e:MOSFET 

 

飞捷主要经营:IR,ST ONSEMI,FAIRCHILD,FUJI等 世界*品牌IGBT模块、整流二*管、IGBT单管、SPM模块、场效应管、快恢复二*管、肖特基二*管、智能电源开关管、三*管、MOS管、通讯电源IC、集成电路IC等等*无铅产品,如需了解更多,请登陆我们的网站,www.fl*owers.com.cn谢谢!

 

LED*型号:KA5M0365RTU KA5L0380 KA5M0380 FSDM0265 FSDM0365 FSDM0465 FSDM0565 FSEZ1016AMY   FAN6921 FSDH321 FSFR2100  L6562D/N VIPER12A/S FQPF8N60C FQPF8N80C   FDPF10N60 FDPF12N60 FQPF13N50

变频器*型号:FGA15N120 FGA25N120 F*S10CH60T F*S15CH60F
F*B15CH60F  F*B20CH60F    F*B30CH60C

详情请咨询杨先生

品牌/商标

FAIRCHILD/*童

型号/规格

FQPF13N50

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

NF/音频(低频)

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

封装形式

TO220F

产品类型

肖特基管

封装材料

塑料封装