三*管2SC3153

地区:浙江 杭州
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是否提供加工定制:否品牌:国产型号:2SC3153
应用范围:放大材料:硅(Si)*性:NPN型
结构:平面型封装形式:直插型封装材料:塑料封装

型号:2SC3153

NPN硅大功率晶体管               

封装形式:TO-247

 

电特性:

*限值(除非另有规定Tamb=25℃

* 

  

集电*—发射*电压

VCE0

800

V

集电*—基*电压

VCBO

900

V

发射*—基*电压

VEBO

7

V

集电*电流

IC

6

A

基*电流

IB

3

A

耗散功率

Pc

100

W

贮存温度

Tstg

-55 ~ 150

 

 

 

 

 

 

                                                                                              

电参数(除非另有规定Tamb=25℃

*

单位

*小

典型

*大

集电*-基*截止电流

ICB0

VCB=800V, IE=0

10.0

uA

发射*-基*截止电流

IEB0

VEB=5V, IC=0

10.0

uA

共发射*正向电流的静态值

hFEa

IC=50mA, IB=0A

10

 

集电*-发射*饱和电压

VCEsata

IC=6.0A , IB=2.0A 

800

1

V

集电*-发射*击穿电压

V(BR)CEO

IC=5mA, IB=0

800

V

集电*-基*击穿电压       

V(BR)CBO

IC=1mA, IE=0

900

V

发射*-基*击穿电压

V(BR)EBO

IC=1mA , IC=0

7.0

V

特征频率

fT

Vce=10VIc=1A

7.0

MHz

开启时间

Ton

VCC=400V, IC=4.0A

IB1=0.8A, IB2=-1.6A

RL=100 ohm

1.0

us

贮存时间

ts

3.0

us

下降时间

tf

0.7

us

a:脉冲测试