原厂供应高压IGBT单管NCE20G120T 1200V/20A

地区:江苏 无锡
认证:

无锡新洁能功率半导体有限公司

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   产品特征:Trench NPT(非穿通)技术

   低Vcesat,低导通损耗

   拖尾电流小,更小的开关损耗和更快的开关速度

   短路电流能力强,Tsc>10us,可提供给控制电路充足的时间及时关断器件

   高Eas能力

   更强的*闩锁能力

   *强的*冲击能力

   易并联使用

   产品应用:感应加热,微波炉,电磁炉,逆变器,UPS,变频器等

   软开关应用

   Vds=1200VId=20A 

   封装:TO-247





















 

 

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品牌/商标

NCE

型号/规格

NCE20G120T

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

MOS-FBM/全桥组件

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

IGBT*缘栅比*

开启电压

4-7(V)

夹断电压

1200(V)