原厂供应NCE20N65T场效应管 MOS管 650V/20A

地区:江苏 无锡
认证:

无锡新洁能功率半导体有限公司

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    产品特征:卓越的功率转换效率 

    极低的导通功率损耗源于极低的特征导通电阻(Ron*A 

    极低的开关功率损耗和驱动功率损耗源于极低的FOMRon*Qg)

    卓越的Eas能力(100?s测试)

   产品应用:电脑、服务器的电源——更低的功率损耗

   适配器(笔记本电脑,打印机等)——更轻、更薄

   照明(HID灯,工业照明,道路照明等)更高的功率转换功率

   消费类电子产品(液晶电视,等离子电视等)——更轻、更薄、更高能效

   Vds=650V;Id=20A ; Rds(ON)<190mΩ @Vgs=10V  (Typ:155mΩ)

   注:@在…的条件下    封装:TO-247



























 

 

品牌/商标

NCE 新洁能

型号/规格

NCE20N65T

种类

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

V-FET/V型槽MOS

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

2.5-3.5(V)

夹断电压

大于650(V)

极间电容

2300(pF)