三*管S8050,C中,TO-92

地区:广东 深圳
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*,长期大量供应三*管S8050,ECB,TO-92,欢迎来电咨询。


ELE*RICAL CHARA*ERISTICS(Tamb=25unless otherwise specified) 

Parameter

Symbol

Test conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

V(BR)CBO

lc=-100μA,lE=0

40

 

 

V

Collector-emitter breakdown voltage

V(BR)CEO

lc=0.1 mA, lB=0

25

 

 

V

Emitter-base breakdown voltage

V(BR)EBO

lE=-100μA,lc=0

5

 

 

V

Collector cut-off current

lCBO

VCB=-40V, lB=0

 

 

0.1

μA

Collector cut-off current

lCEO

VCE=-20V, lB=0

 

 

0.1

μA

Emitter cut-off current

lEBO

VEB=-3V,  lc=0

 

 

0.1

μA

DC current gain

hFE(1)

VCE=-1V,lc=50mA

160

 

300

 

Collector-emitter saturation voltage

VCE(sat)

lc=-800mA,lB=80mA

 

 

0.56

V

Base-emitter daturation voltage

VBE(sat)

lc=-500mA,lB=50mA

 

 

1.2

V

Transition frequency

fr

VCE=-6V,lc=20mA

f=30MHZ

150

 

 

MHZ

 

CLASSIFICATION OF hFE(1)

 

Rank

B

C

D

Range

85-160

120-200

160-300

 

 

 

 

品牌/商标

国产

型号/规格

S8050,ECB

应用范围

放大

功率特性

小功率

频率特性

中频

*性

NPN型

结构

点接触型

材料

硅(Si)

封装形式

直插型

封装材料

塑料封装

营销方式

*

产品性质

*