供应ＭＯＳ三*管,贴片场效应三*管 1N60

品牌:SLT 型号:1N60 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:L/功率放大 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:GE-N-FET锗N沟道 开启电压:4（V） *大漏*电流:4000（mA） *大耗散功率:3000（mW）

我公司采用*芯片，自己封装ＴＯ－２５１，ＴＯ－２５２场效应三*管．质量*，价格合理，希望为电脑，手机用户提供优质服务．

概述与特点

2N60型MOS晶体管，主要用于线性放大、功率开关。其特点如下：

● 开关速度快

● 通态电阻低

● 可并联使用

● 驱动简单

● 封装形式：TO-92

2.电特性

2.1*限值

除非另有规定，T_amb= 25℃

参数名称	*号	额定值	单位
漏源反向电压	VDS	600	V
连续漏*电流	ID	1.0	A
脉冲漏*电流	IDM	4.0	A
栅源电压	VGS	&plu*n;30	V
单脉冲能量	EAS	20	mJ
雪崩电流	IAR	1.2	A
热阻（结到壳）	RθJC	50	℃/W
热阻（结到环境）	RθJA	140
耗散功率	PDt	3	W
结温	Tj	150	℃
贮存温度	Tstg	-55～150	℃

2.2电参数 引脚: 1. G 2. D 3. S

除非另有规定，T_amb= 25℃

参数名称	*号	测试条件	规范值			单位
			*小	典型	*大
漏源反向电压	VDS	VGS=0V, ID=250 uA	600			V
通态电阻	RDSON	VDS=10V, ID=0.5A			10	Ω
栅*阈值电压	VGS(TH)	VDS= VGS, ID=250uA	2.0		4.0	V
跨导	y21S	VDS= 50V, ID=0.5A	0.88			S
漏源漏电流	IDSS	VDS=600V,VGS=0V,Tj= 25℃			25	μA
		VDS=480V,VGS=0V,Tj= 125℃			250	μA
栅源漏电流	IGSS	VGS=30V ,VDS=0V			+100	nA
		VGS= -30V ,VDS=0V			-100	nA
关断延迟时间	td(off)	VDD=300V,ID=1.0A VGS=10V, RG=12Ω		35		ns
输入电容	CISS	VGS=0V, VDS=25V f=1.0MHz		160		pF

本公司*生产销售晶体三*管及ＭＯＳ场效应三*管,长期以来主要为彩电、音响、玩具，*灯等家电配套.主要以中大功率三*管为主.本公司长期供应三*管的主要产品有：
TO92L（2SA928、2SC2328，2*892，2SA966、2SA1020、2SA1013、SC2482、2SC2655、2SC2383、2SC2236）：

TO92（2SC1815Y/GR、2SA1015Y/GR,2SA73*，2SC388，2SC1674，8550，8050，9014，9015，A42，A92，A44
TO-126（2*772、2SD882,2SC2688,）；

TO-220（7805、7808、7812,TIP31、TIP32、TIP41、TIP42、TIP122、TIP127,2SD880；

9012、9013、9014C、9015C、9018G；

A42、A92、A44、A94

8050、8550、S8050、S8550，
１Ｎ６０，２Ｎ６０，３Ｎ６０，４Ｎ６０，６Ｎ６０，８Ｎ６０，１０Ｎ６０，ＩＲＦ６３０，ＩＲＦ６４０，ＩＲＦ６３４，ＩＲＦ７３０，ＩＲＦ７４０，ＩＲＦ８３０，ＩＲＦ８４０，等，*，价格优惠，欢迎广大用户选用。