供应MOS三*管,贴片场效应三*管 1N60

地区:广东 佛山
认证:

佛山市实力通电子有限公司

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品牌:SLT 型号:1N60 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:L/功率放大 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:GE-N-FET锗N沟道 开启电压:4(V) *大漏*电流:4000(mA) *大耗散功率:3000(mW)

我公司采用*芯片,自己封装TO-251,TO-252场效应三*管.质量*,价格合理,希望为电脑,手机用户提供优质服务.

概述与特点

2N60MOS晶体管,主要用于线性放大、功率开关。其特点如下:

开关速度快

通态电阻低

可并联使用

驱动简单

封装形式:TO-92

2.电特性

2.1*限值

除非另有规定,Tamb= 25

*号

额定值

单位

漏源反向电压

VDS

600

V

连续漏*电流

ID

1.0

A

脉冲漏*电流

IDM

4.0

A

栅源电压

VGS

&plu*n;30

V

单脉冲能量

EAS

20

mJ

雪崩电流

IAR

1.2

A

热阻(结到壳)

RθJC

50

℃/W

热阻(结到环境)

RθJA

140

耗散功率

PDt

3

W

结温

Tj

150

贮存温度

Tstg

-55150


2.2电参数 引脚: 1. G 2. D 3. S

除非另有规定,Tamb= 25

*

单位

*小

典型

*大

漏源反向电压

VDS

VGS=0V, ID=250 uA

600

V

通态电阻

RDSON

VDS=10V, ID=0.5A

10

Ω

栅*阈值电压

VGS(TH)

VDS= VGS, ID=250uA

2.0

4.0

V

跨导

y21S

VDS= 50V, ID=0.5A

0.88

S

漏源漏电流

IDSS

VDS=600V,VGS=0V,Tj= 25

25

μA

VDS=480V,VGS=0V,Tj= 125

250

μA

栅源漏电流

IGSS

VGS=30V ,VDS=0V

+100

nA

VGS= -30V ,VDS=0V

-100

nA

关断延迟时间

td(off)

VDD=300V,ID=1.0A

VGS=10V, RG=12Ω

35

ns

输入电容

CISS

VGS=0V, VDS=25V

f=1.0MHz

160

pF

本公司*生产销售晶体三*管及MOS场效应三*管,长期以来主要为彩电、音响、玩具,*灯等家电配套.主要以中大功率三*管为主.本公司长期供应三*管的主要产品有:
TO92L(2SA928、2SC2328,2*892,2SA966、2SA1020、2SA1013、SC2482、2SC2655、2SC2383、2SC2236):

TO92(2SC1815Y/GR、2SA1015Y/GR,2SA73*,2SC388,2SC1674,8550,8050,9014,9015,A42,A92,A44
TO-126(2*772、2SD882,2SC2688,);

TO-220(7805、7808、7812,TIP31、TIP32、TIP41、TIP42、TIP122、TIP127,2SD880;

9012、9013、9014C、9015C、9018G;

A42、A92、A44、A94

8050、8550、S8050、S8550,
1N60,2N60,3N60,4N60,6N60,8N60,10N60,IRF630,IRF640,IRF634,IRF730,IRF740,IRF830,IRF840,等,*,价格优惠,欢迎广大用户选用。