供应常用场效应管(Mosfet)TO-220,

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现货长期供应*场效应管场效应管质量*.*有货.有实力的公司可以月结.欢迎来电   N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。*的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、*的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动。

∗ 1A,600V,RDS(on)=11.5Ω@VGS=10V
∗ 低栅*电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快

 N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。*的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、*的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动。


∗ 低栅*电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快

品牌

韩国(WISDOM)

型号

各类

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

MOS-ARR/陈列组件

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

0.1(V)

夹断电压

0.1(V)

低频跨导

0.1(μS)

*间电容

0.1(pF)

低频噪声系数

0.1(dB)

漏*电流

0.1(mA)

耗散功率

0.1(mW)