场效应管HX830(TO-220,TO-22OF)

地区:广东 深圳
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品牌/商标 HX(环鑫) 型号/规格 HX830(TO-220,TO-22OF)
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 MOS-ARR/陈列组件
封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道
开启电压 0,1(V) 夹断电压 0.1(V)
低频跨导 0.1(μS) *间电容 0.1(pF)
低频噪声系数 0.2(dB) *大漏*电流 0.1(mA)
*大耗散功率 0.1(mW)

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HX830  TO-220,to-220fN沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。*的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、*的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动。

 5A,500V,RDS(on)=11.5Ω@VGS=10V
? 低栅*电荷量
? 低反向传输电容
? 开关速度快
? *了dv/dt 能力

其它规格:1N60 2N60 4N60 5N60 7N60 8N60 10N60 12N60  830  840  730   740   640  630