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产品属性
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BFR520 参数
类别:NPN-硅通用高频低噪声宽带NPN晶体管
集电*-发射*电压VCEO:15V
集电*-基*电压VCBO:20V
发射*-基*电压VEBO:2.5V
集电*直流电流IC:120mA
总耗散功率(TA=25℃)Ptot:500mW
工作结温Tj:150℃
贮存温度Tstg:-65~150℃
封装形式:SOT-23
功率特性:*率
*性:NPN型
结构:扩散型
材料:硅(Si)
封装材料:塑料封装
电性能参数(TA=25℃):
击穿电压:V(BR)CEO=15V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=2.5V
直流放大系数hFE: 40~250 @VCE=8V,IC=40mA
集电*-基*截止电流ICBO:100nA(*大值)
发射*-基*截止电流IEBO:100nA(*大值)
特征频率fT:9.0GHz@ VCE=8V,IC=40mA
集电*允许电流IC:0.12(A)
集电**大允许耗散功率PT:0.5(W)
功率增益GUM:14dB@IC=40mA,VCE=8V,f=1GHz
噪声系数NF:1.3dB@IC=40mA,VCE=8V,f=1GHz
*功率增益∣S21∣:13dB@IC=40mA,VCE=8V,f=1GHz
反馈电容Cre:0.65 pF @ IC=ic=0,VCB=6V,f=1MHz。
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BFR520
NXP(恩智浦)
SOT-23
无铅*型
贴片式
卷带编带包装
*率