供应东芝MOSFET 2SK2962原装现货12K

地区:上海 上海市
认证:

上海稳源电子有限公司

普通会员

全部产品 进入商铺

 

部件型号2SK2962 
*性N沟 
漏源电压VDSS100 V 
漏电流ID1 A 
漏功耗PD900 mW 
门电荷总数Qg(nC) (标准)6.3 
漏源导通电阻RDS(ON)(*大) @VGS=4V0.95 Ω 
漏源导通电阻RDS(ON)(*大) @VGS=10V0.7 Ω 
封装TO-92MOD 
产品分类功率MOSFET (N沟 60V<VDSS≦150V) 
装配基础日本, 马来西亚
品牌

TOSHIBA/东芝

型号

2SK2962

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

NF/音频(低频)

封装外形

CHIP/小型片状

材料

GaAS-FET砷化镓

开启电压

00(V)

夹断电压

00(V)

低频跨导

00(μS)

*间电容

00(pF)

低频噪声系数

00(dB)

漏*电流

00(mA)

耗散功率

00(mW)