供应东芝MOSFET 2SK2611 原装
地区：上海 上海市
认证：
无
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产品属性
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| 部件型号 | 2SK2611 | |
| *性 | N沟 | |
| 漏源电压VDSS | 900 V | |
| 漏电流ID | 9 A | |
| 漏功耗PD | 150 W | |
| 门电荷总数Qg(nC) (标准) | 58 | |
| 漏源导通电阻RDS(ON)(*大) @VGS=10V | 1.4 Ω | |
| 封装 | TO-*(N) | |
| 产品分类 | 功率MOSFET (N沟 700V<VDSS) | |
| 装配基础 | 日本, 泰国 |
TOSHIBA/东芝
2SK2611
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
NF/音频(低频)
CER-DIP/陶瓷直插
GaAS-FET砷化镓
00（V）
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00（μS）
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