供应MOS管东芝TOSHIBA 2SK4111原装

地区:上海 上海市
认证:

上海稳源电子有限公司

普通会员

全部产品 进入商铺

 

部件型号2SK4111 
*性N沟 
漏源电压VDSS600 V 
漏电流ID10 A 
漏功耗PD45 W 
门电荷总数Qg(nC) (标准)42 
漏源导通电阻RDS(ON)(*大) @VGS=10V0.75 Ω 
封装TO-220NIS 
产品分类功率MOSFET (N沟 500V<VDSS≦700V) 
装配基础日本, 泰国
品牌

TOSHIBA/东芝

型号

2SK4111

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

MOS-ARR/陈列组件

封装外形

LLCC/无引线陶瓷片载

材料

GE-N-FET锗N沟道

开启电压

00(V)

夹断电压

00(V)

低频跨导

00(μS)

*间电容

00(pF)

低频噪声系数

00(dB)

漏*电流

00(mA)

耗散功率

00(mW)