供应 场效应管 SSM6J25FE SSM6J26FE

SSM6J206FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,P场,-20V,-2A,0.13Ω，带二极静电保护
SSM6J213FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,P场,-20V,-2.6A,0.103Ω，带二极静电保护
SSM6J25FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,P场,-20V,-0.5A,0.26Ω，带二极静电保护

产品型号:SSM6J25FE

TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type

应用:

 * 高速开关应用

特点：
 * 最适用于高密度安装在小包装
 * 低导通电阻：Ron = 260mΩ (max) (@VGS = -4 V)
             ：Ron = 430mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)

封装:SOT-563

品牌：TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20

夹断电压VGS(V):±12

最大漏极电流Id(A):-1.5

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.26 @VGS = -4 V

开启电压VGS(TH)(V):-1.1

功率PD(W):0.5

输入电容Ciss(PF):218 typ.

通道极性:P沟道

低频跨导gFS(s)：1.3

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):16 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):15 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:SSM6J25FE,-20V,-1.5A P-沟道增强型场效应晶体管

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