供应 场效应管 SSM6J25FE SSM6J26FE

地区:广东 深圳
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SSM6J206FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,P场,-20V,-2A,0.13Ω,带二极静电保护
SSM6J213FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,P场,-20V,-2.6A,0.103Ω,带二极静电保护
SSM6J25FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,P场,-20V,-0.5A,0.26Ω,带二极静电保护

 

产品型号:SSM6J25FE

TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type

应用:

 * 高速开关应用


特点:
 * 最适用于高密度安装在小包装
 * 低导通电阻:Ron = 260mΩ (max) (@VGS = -4 V)
             :Ron = 430mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)

封装:SOT-563

品牌:TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20

夹断电压VGS(V):±12

最大漏极电流Id(A):-1.5

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.26 @VGS = -4 V

开启电压VGS(TH)(V):-1.1

功率PD(W):0.5

输入电容Ciss(PF):218 typ.

通道极性:P沟道

低频跨导gFS(s):1.3

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):16 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):15 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:SSM6J25FE,-20V,-1.5A P-沟道增强型场效应晶体管

 

(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)

 

 

型号/规格

SSM6J25FE

品牌/商标

TOSHIBA(东芝)

封装形式

SOT-563-6

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

4000/盘