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产品属性
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SSM3J321T,TOSHIBA,SOT-23,SMD/MOS,P场,-20V,-5.2A,0.046Ω
应用:
* 电源管理开关应用
* 高速开关应用
特点:
* 1.5V驱动器
* 低导通电阻:RON =137mΩ(最大)(@ VGS =-1.5 V)
RON =88mΩ(最大)(@ VGS= -1.8 V)
RON =62mΩ(最大)(@ VGS= -2.5 V)
RON =46mΩ(最大)(@ VGS =-4.5 V)
产品型号:SSM3J321T
封装:SOT-23
品牌:TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20
夹断电压VGS(V):±8
最大漏极电流Id(A):-5.2
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.046 @VGS = -4.5 V
开启电压VGS(TH)(V):-1
功率PD(W):0.7
输入电容Ciss(PF):640 typ.
通道极性:P沟道
低频跨导gFS(s):12.2
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):273
导通延迟时间Td(on)(ns):32 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):102 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM3J321T,-20V,-5.2A P-沟道增强型场效应晶体管 TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS V)
(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
SSM3J321T
TOSHIBA(东芝)
SOT-23
无铅环保型
贴片式
3000/盘
供应 场效应管 FQPF16N25C,FQPF16N25
供应 场效应管 2SK4087LS 2SK4087 K4087
供应 场效应管 2SK3934,2SK2188,K3934,K2188
供应 场效应管 BSC059N03S G,59N03S,BSC059N03SG
供应 场效应管P0903BDG P0603BDL
供应 场效应管 2SJ650 J650 2SJ654 J654
供应 场效应管 BSC018NE2LSI,018NE2LI
供应 场效应管 IRF540B,IRF540,IRF540A,IRF540Z
供应 ST场效应管 STW77N60M5,77N60M5,原装现货
供应 场效应管 TK12A65D,TK12A65,K12A65D