供应 场效应管 AP70T03GJ,70T03GJ,AP70T03GJ-HF

产品型号:AP70T03GJ
特点：
 * 低栅极电荷
 * 单驱动器要求
 * 符合RoHS及无卤素

封装:TO-251

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):60

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.009 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):3

功率PD(W):53

输入电容Ciss(PF):1485 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：35

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):8 typ.

上升时间Tr(ns):105 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):22 typ.

下降时间Tf(ns):9 typ.

温度(℃): -55 ~175

描述:30V,60A N-沟道增强型场效应晶体管

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