产品详情

供应 500V 场效应管 FTP05N50 FTP08N50

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市金城微零件有限公司

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产品型号:FTP08N50

源漏极间雪崩电压VBR(V):500

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.9

最大漏极电流Id(on)(A):8

通道极性:N沟道


封装/温度(℃):TO-220 4/-55 ~150


描述:500 V, 8A 功率MOSFET

产品型号: FTP05N50

源漏极间雪崩电压VBR(V):500

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):1.35

最大漏极电流Id(on)(A):4.5

通道极性:N沟道


封装/温度(℃):TO-220 4/-55 ~150


描述:500 V, 4.5A 功率MOSFET

型号/规格

FTP08N50 IPS TO-220 06NPB DIP/MOS N场 500 8 0.9Ω

品牌/商标

IPS

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

单件包装

功率特征