产品详情

供应 场效应管 STP80N70F4 STP80N70 80N70F4

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市金城微零件有限公司

VIP会员18年

全部产品 进入商铺

产品型号:STP80N70F4

源漏极间雪崩电压VBR(V):68

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):8.2

最大漏极电流Id(on)(A):85

通道极性:N沟道

功率：150W


封装/温度(℃)TO-220 4/-55 ~150


描述:68 V, 85A功率MOSFET

型号/规格

STP80N70F4 ST TO-220 11NPB DIP/MOS N场 68 85 8.2mΩ

品牌/商标

ST（意法半导体）

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

单件包装

功率特征