供应 场效应管 TK8A50,TK8A50D,K8A50D

产品型号:TK8A50D

封装:TO-220F

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(A):8

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.85 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):40

输入电容Ciss(PF):800 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：4

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):165

导通延迟时间Td(on)(ns):40 typ.

上升时间Tr(ns):20 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):60 typ.

下降时间Tf(ns):12 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:500V,8A N-沟道增强型场效应晶体管