场效应管 FMH09N90G,09N90G,FMH09N90 E

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FMH09N90G,TO-3P,FUJ,DIP/MOS,N场,900V,9A,1.4Ω

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MOS管,广泛应用于电池充电器,普通电源,智能开关电源,灯具
功率开关,LED,车载,玩具,电动车,电脑主板.
900V N沟道 场效应管(MOSFET):
FMH07N90G,TO-3P,FUJ,DIP/MOS,N场,900V,7A,2Ω
FMH09N90G,TO-3P,FUJ,DIP/MOS,N场,900V,9A,1.4Ω
KHB9D0N90F1 TO-220F KEC DIP/MOS N 900V 9A 1.4Ω
KHB9D0N90N1 TO-3P KEC DIP/MOS N 900V 9A 1.4Ω
2SK2767 FUJ TO-220
FQP2N90 FAIRCHILD TO-220
SSP3N90A FAIRCHILD TO-220
2SK3566 TOSHIBA TO-220F
FS3KM-18A RENESAS/瑞萨 TO-220F
SSS3N90A FAIRCHILD TO-220F
STF3HNK90Z ST TO-220F
2SK2654 FUJ TO-3P
2SK2850 FUJ TO-3P
2SK962 FUJ TO-3P
FQA11N90 FAIRCHILD TO-3P
FQA5N90A FAIRCHILD TO-3P
FQA9N90C FAIRCHILD TO-3P
SSH5N90 FAIRCHILD TO-3P
FQAF7N90 FAIRCHILD TO-3PF
1000V N沟道 场效应管(MOSFET):
FQD2N100-729 FAIRCHILD SOT-252
IRFBG30 IR TO-220
IRFPG30 IR TO-247
IRFPG40 IR TO-247
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品牌

FJD日本富士电机

型号

FMH09N90G,TO-3P,FUJ,DIP/MOS,N场,900V,9A,1.4Ω

种类

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

4.5(V)

夹断电压

± 30(V)

跨导

10S(μS)

极间电容

2550(pF)

漏极电流

9A(mA)

耗散功率

205W(mW)