供应 场效应管 PHD78NQ03LT PHD78NQ03

产品型号:PHD78NQ03LT

封装:SOT-252

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):25

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):61

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.009 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):2

功率PD(W):93

输入电容Ciss(PF):1074 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：34

导通延迟时间Td(on)(ns):20 typ.

上升时间Tr(ns):92 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):30 typ.

下降时间Tf(ns):40 typ.

温度(℃): -50 ~175

描述:25V,61A N-沟道增强型场效应晶体管

特点:
.Trench技术
.低通态电阻
.快速开关

应用范围：
.电脑主板
.DC到DC转换器