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供应 场效应管 BSC110N06NS3G,110N06NS,BSC110N06

地区：广东 深圳
认证： 无

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型    号：BSC110N06NS3G
标    记: 110N06NS
类    型：场效应管
通道极性:N通道
封    装：QFN-8 5*6/PG-TDSON-8
备    注：正品
Parameter Symbol Conditions Value Unit
Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 60 V
Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 50 A
Pulsed drain current IDM TC=25℃ 200 A
Avalanche energy, single pulse EAS ID=50A, RGS=25Ω 22 mJ
Gate source voltage VGS 　 ±20 V
Power dissipation Ptot TC=25℃ 50 W
Gate threshold voltage VGS(th) VDS=VGS,ID=23µA 4 V
Drain-source on-state resistance RDS(on) VGS=10V, ID=50A 11 mΩ
Input capacitance Ciss VGS=0V,VDS=30V, f=1MHz 2000 PF
Transconductance gfs |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=50A 50 S

型号/规格

BSC110N06NS3G,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,60V ,50A,0.011Ω

品牌/商标

INFINEON（英飞凌）

封装形式

QFN-8 5*6/PG-TDSON-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

5000/盘