场效应管 FQPF8N60C/FQPF8N60/8N60

MOSFET N-CH 600V
7.5A TO-220F
描述晶体管*性:N漏*电流, Id *大值:7.5A电压, Vds *大:600V开态电阻, Rds(on):1.2ohm电压 @ Rds测量:10V电压, Vgs *高:30V功耗:48W工作温度范围:-55°C to 150°C封装类型:TO-220F针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)功率, Pd:48W封装类型:TO-220F晶体管数:1晶体管类型:MOSFET电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:600V电流, Id 连续:7.5A电流, Idm 脉冲:30A表面安装器件:通孔安装阈值电压, Vgs th 典型值:4V