【华强实体店供应】高压MOS管 FQPF12N60C/FQPF12N60/12N60

地区:广东 深圳
认证:

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描述

  • 晶体管*性:N沟道
  • 电流, Id 连续:12A
  • 电压, Vds *大:600V
  • 在电阻RDS(上):650mohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
  • 工作温度范围:-55°C 到 150°C
  • 封装类型:TO-220F
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)
  • 功率, Pd:51W
  • 功耗:51W
  • 封装类型:TO-220F
  • 晶体管数:1
  • 漏*电流, Id *大值:12A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:600V
  • 电压, Vgs *高:30V
  • 电流, Idm 脉冲:48A
  • 表面安装器件:通孔安装
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品牌/商标

FAIRCHILD/*童

型号/规格

FQPF12N60C

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

SW-REG/开关电源

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

2-4(V)

夹断电压

0(V)

跨导

13S(μS)

漏*电流

12A(mA)

耗散功率

51W(mW)