【华强实体店供应】高压场效应管 FQPF6N60C/FQPF6N60/6N60

地区:广东 深圳
认证:

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描述

  • 晶体管*性:N
  • 漏*电流, Id *大值:5.5A
  • 电压, Vds *大:600V
  • 开态电阻, Rds(on):2ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs *高:30V
  • 功耗:40W
  • 工作温度范围:-55°C to 150°C
  • 封装类型:TO-220F
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
  • 功率, Pd:40W
  • 封装类型:TO-220F
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:600V
  • 电流, Id 连续:5.5A
  • 电流, Idm 脉冲:22A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4V

        重量(公斤):0.00211

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品牌/商标

FAIRCHILD/*童

型号/规格

FQPF6N60C

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

SW-REG/开关电源

材料

N-FET硅N沟道