*供应场效应管 IRF840B/IRF840

地区:广东 深圳
认证:

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描述

  • 晶体管*性:N沟道
  • 电流, Id 连续:8A
  • 电压, Vds *大:500V
  • 在电阻RDS(上):850mohm
  • ??装类型:TO-220
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)
  • 功率, Pd:125W
  • 功耗:125W
  • 单脉冲雪崩能量 Eas:520mJ
  • 封装类型:TO-220 (SOT-78B)
  • 封装类型, 替代:SOT-78B
  • 引脚节距:2.54mm
  • 总功率, Ptot:125W
  • 时间, trr 典型值:384ns
  • 晶体管数:1
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电容值, Ciss 典型值:832pF
  • 电流, Idm 脉冲:32A
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:850mohm
  • 针脚格式:1G, (2 Tab)D, 3S
  • 针脚配置:a
  • 阈值电压, Vgs th :2V
  • ??值电压, Vgs th *高:4V
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品牌/商标

国产

型号/规格

IRF840B

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

SW-REG/开关电源

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

2-4(V)

夹断电压

0(V)

漏*电流

8A(mA)

耗散功率

125W(mW)