*国产场效应 IRF630/IRF630B/可代替IRF630N

地区:广东 深圳
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品牌/商标 国产 型号/规格 IRF630
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源
材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2-4(V)
夹断电压 0(V) *大漏*电流 9A(mA)
*大耗散功率 72(mW)