贴片场效应管 IRF640S
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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| 品牌/商标 | IR | 型号/规格 | IRF640STRL |
| 种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 2-4（V） | 夹断电压 | 0（V） |
| *大漏*电流 | 18000（mA） | *大耗散功率 | 130000（mW） |
類別 離散半導體產品
家庭 MOSFET - 單
安裝類型 表面黏著式
FET型 N通道
漏極至源極的電壓(Vdss) 200V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 18A
開態Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C 180毫歐姆@ 11A，10V
輸入電容(Ciss)@Vds 1300pF @ 25V
功率 - *大 130W
封裝 散裝
閘電流(Qg) @ Vgs 70nC @ 10V
封裝/外殼 D²Pak (SMD-220-3, TO-263-3)
FET Feature Standard
其他名稱 IRF640S
IRF640S-ND
